Bipolar junction tranzistors divas back-to-back diode PN krustojumam. Uz priekšu slīpo EB mezglu caurumi ievadīja raidītāju reģiona CB apgrieztā slīpo krustojumam barjeru zem tā efekta, elektriskā lauka uz kolektora platība veido kolektora pašreizējais IC. Lielākā daļa no kolektora kompensētu paraugu spriegums starp raidītāju un reversās neobjektīvus kolektors ir pievienots.
Ja tranzistors #39; s raidītāju pašreizējā pastiprinot koeficients β = IC/IB = 100 kolektora pašreizējais IC = beta * IB = 10mA. Ja mainīgu bāzes, kraušanas slīpo ķēdē par mazu pašreizējam IB, parādās kolektora Circuit atbilstošo maiņstrāvu IC, c/IB = beta, bipolar transistor #39; s pašreizējo pastiprinājums ir realizēta.