Tranzistors, saukti arī par bipolar junction transistor, divas back-to-back diode PN krustojumam ekvivalents. Uz priekšu slīpo EB mezglu caurumi injicē no emitētājs reģionā, kura laikā lielākā daļa no cauruma, lai sasniegtu kolektora un CB apgrieztā slīpo krustojumam šķērslis saskaņā ar elektriskā lauka darbības robežas sasniegt kolektora reģionā, veido kolektora pašreizējais IC. Kopējo emisiju tranzistors Circuit sacīkšu uzsāk bāzes ķēdē, lai kompensētu paraugu sprieguma kritums ir ļoti maza.
500 ω savācējs tur ir sprieguma kritums visā slodzes pretestības VRC = 10mA * 500 ω = 5V, tranzistoru sprieguma kritums starp kolektora un raidītāju VCE = 5V, ja mainīgu bāzes, kraušanas slīpo ķēdē par mazu pašreizējam IB, parādās kolektora Circuit atbilstošo maiņstrāvu IC, c/IB = beta, bipolar transistor #39; s pašreizējo pastiprinājums ir realizēta.
Lielākā daļa no kolektora kompensētu paraugu spriegums starp raidītāju un reversās neobjektīvus kolektors ir pievienots. Tā ir ļoti maza, tāpēc pašreizējais bāzes ir aptuveni IB VBE = 5V/50k ω = 0.1mA. Ja tranzistors #39; s raidītāju pašreizējā pastiprinot koeficients β = IC/IB = 100 kolektora pašreizējais IC = beta * IB = 10mA.